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第三百章 印度市场（第1页）

八月下旬，太平洋对岸的水果公司总部，一场技术会议正在展开。

众多个技术部门的人都参加了这一场会议，针对他们的最大竞争对手智云推出来的S14进行分析讨论，并重点讨论S14手机上的多项关键技术。

一个穿着格子衬衫的中年男子，拿着从S14手机上拆解出来S503芯片道：“我们已经对这款S503芯片进行了全面的各种测试，尽管不愿意承认，但是事实是他们的S503芯片在性能上已经大幅度超过了我们的A8芯片。”

“尤其是在至关重要，影响手机流畅性能以及游戏性能上，他们依靠了3D晶体管技术带来的低功耗特性，做到了主频的大量提升，同时做到了大容量的L2缓存以及L3缓存。”

“尽管对方并没有公布该款芯片的详细参数，但是我们依旧通过电子显微镜对该芯片的内部结构进行观察分析，同时结合对方公布的十八纳米工艺技术的部分参数以及他们的上一代S403芯片的拆解分析对比！”

“依旧可以判断出来，S503芯片的L2缓存达到了2MB，同时L3缓存达到了4MB。”

“此外我们对该芯片进行详细测试的时候，发现了他们并没有采用以往的包含式内存，去年他们发布的S403芯片里，是4MB的三级缓存里，同时也包含了1MB的二级缓存，以提升缓存的利用率，这一点设计上是和我们的类似的，我们去年的A7以及今年的A8芯片，都是采用这种包含式缓存模式。”

“但是对方今年的S503，则是采用了专用缓存模式，L2缓存以及L3缓存相互独立，这使得对方的芯片在日常使用的情况下，能够频繁调用高速L2缓存，进而实现更高的日常使用流畅性。”

“这就是他们的S14手机日常使用体验的时候，对比去年的S13手机，也对比我们的新手机有着非常明显的流畅度提升的核心原因之一。”

“而在大型软件以及游戏性能的支持上，他们的S503芯片因为3D晶体管的低功耗特性，因此主频做的更高，达到2.1GHZ，再搭配他们的大容量高速缓存，其性能表现更加优异！”

“相对比之下，我们的A8芯片受到二十纳米工艺的高功耗特性，在主频设计上不得不采取相对保守的设计方案，只采取了1.4GHZ的方案，同时缓存方案则是4MB的L3缓存里包含1MB的L2缓存。”

“这导致我们的A8芯片在日常使用流畅度上以及大型软件流畅性上，对比对方S503都有一定的明显差距。”

“而在GPU方面，我们也有所落后，导致游戏性能有所落后。”

“在整体性能差距上，今年我们的A8芯片对比S503芯片，比去年的A7芯片和对方的S403芯片还要更大了。”

“我们努力了一整年，非但没有缩小差距，反而差距还扩大了！”

说这话的时候，这个中年男子一脸的无奈。

倒是另外有人，为芯片部门解释道：“这也不是我们的设计问题，单纯设计问题的话，去年乃至前年我们顶多是略有差距，但是整体还是处于同一个水准的，今年之所以出现较大程度的落后，更多的问题还是在于台积电的工艺制程上！”

“他们的二十纳米工艺不行！”

“稍微把主频做高一点，功耗和散热就无法控制了，然后整个芯片就会变成火龙一样！”

说到这，这个人还是露出了幸灾乐祸的表情：“至少，我们比高通的810做的更加出色，听说他们的810芯片把主频做的非常大，散热问题非常严重并且难以解决！”

然而却是有人面露不满道：“但是我们的核心竞争对手不是搭载了高通芯片的其他手机，他们还不配！”

“我们的竞争对手，始终都是智云，只有那该死的智云！”

“击败高通的芯片，对我们来说是理所当然，是必须的！”

“但是我们的目标并不是高通，而是智云！”

此时，有人道：“今年的芯片不管怎么说都没用了，都已经开始量产装机了，后续只能想办法在市场营销上做其他的文章，今年的芯片就少提了！”

“但是，明年我们要把优势重新夺回来，今年台积电那边的16纳米FinFET工艺正在积极推进，有望在今年年底进行技术认证，我们明年的下一代A9芯片也将会使用这一工艺，性能将会得到大幅度的提升！”

此时，一边则是有人道：“智云的14纳米FinFET的进度也很快，并且根据他们透露的消息来看，他们的十四纳米工艺甚至要比台积电的十六纳米工艺，更有优势，再结合他们的强悍芯片设计能力，情况不是很乐观啊！”

这话一出，会议室里众人都沉默了！

看样子，明年他们的芯片还要被智云压一头，想想都很不爽……

良久后，终于人转移了话题，说起了S14手机的其他技术特性，尤其是集中在无线充电技术和快充上。

只是同样不是很乐观。

”无线充电技术我们一直都在进行研究，但是距离实际应用还是有一定距离，主要是发热问题暂时还没有解决，我们的无线充电过程里散发了大量的热量，我们初步判断是材料上还存在一定的问题！”

“我们还要解决这个材料问题，这样才能够把无线充电的发热问题解决掉！”

“要不然的话，强行使用现在的无线充电技术，那么我们的手机就会变成炸弹……”

“但是，材料问题，你们也知道的……我们需要时间！”

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